印染廢水的裂解處理方法：
裂解處理是以N型半導體的能帶理論為基礎，以N型半導體作敏化劑的一種敏化氧化法。當敏化劑能量大于禁帶寬度時，電子被激發，躍過禁帶進入導帶，則在價帶上產生相應的電子-空穴，從而引發反應。水溶液中的催化氧化反應，在半導體表面失去的電子主要是水分子，水分子經一系列變化后產生氧化能力極強羥基自由基OH，氧化各種有機物，并使之礦化為CO2裂解處理一般動力學方程描述：.jpg){kind=small}
r——反應速率；Ce——反應物濃度；K——表觀吸附平衡常數；H——發生于敏化劑表面活性位置的表面反應速率常數。如果投加H2O2、KBrO3等強氧化劑，可以抑制電子－空穴復合，可以提高氧化速度。對特定的催化劑表面擔載高活性的貴屬或金屬氧化物，如Ag、Au、Pt、Pd等，能夠消除半導體帶中的電子，有利于激發電子向外部遷移，有效防止電子-空穴簡單復合，pt/TiO2能夠提高催化降解有機物速率4.5～6倍，將pt載到TiO2降解二氯苯的活性提高30%，但是Pt，Pd等載量過多，則可能充當電子－空穴的復合中心，降低TiO2的催化性，既每種半導體催化劑表面有一個某種金屬或金屬氧化物最佳載量。催化氧化以N型半導體為催化劑，各種催化劑活性順序：TiO2>ZnO>WO3。TiO2是常用的催化劑，主要有銳鈦型和金紅石型晶型。TiO2的化學性質，光化學性十分穩定，無毒價廉，貨源充足。TiO2是一種半導體氧化物，它有充滿電子的價電子帶和缺電子的導帶，在能級激化狀態價電子帶上留下的空穴有氧化性，導帶上的電子具還原性，降解物在TiO2表面發生氧化還原后，價電子帶又得到電子，價帶上電子發生躍遷，故將使用過的TiO2通過還原，重復使用，不影響其催化活牲。
工藝缺陷該工藝的缺點主要有（1） 激化能利用率低，耗電量較大(1.3kW)
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